三星GALAXY S6 edge評(píng)測:硬件
三星在S6 edge上做出的一件讓人津津樂道的事情是棄用了高通處理器,這在幾個(gè)月前的Note 4上還是一個(gè)“不可能完成的任務(wù)”。但隨著三星Exynos 7420的到來,三星手機(jī)去高通化有了足夠的資本。
Exynos 7420創(chuàng)造了三星移動(dòng)芯片上的多個(gè)第一,首先它是三星首個(gè)64位芯片,Exynos 7420基于ARM A57+A53的big.LITTLE架構(gòu);其次Exynos 7420是移動(dòng)芯片領(lǐng)域首個(gè)采用14nm FinFET工藝的產(chǎn)品,迄今為止只有三星和英特爾在量產(chǎn)FinFET工藝的14nm芯片;Exynos 7420集成了最高內(nèi)存帶寬可達(dá)25.6GB/s的Mali-T760 MP8圖形處理器,這也是目前為止最強(qiáng)的移動(dòng)圖形處理器芯片。
不過受制于專利以及全球推廣的問題,三星在SoC的基帶方面還是用了高通的解決方案,這一點(diǎn)和之前媒體猜測的集成基帶或者是外掛Intel基帶有出入。而用于測試的這款型號(hào)為G9250支持雙4G網(wǎng)絡(luò),這也是拜高通的基帶所賜。
不過我拿到的這款測試機(jī)很明顯被官方限制了測試軟件的安裝,系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)檢測軟件簽名,我測試了大部分的跑分軟件,都無法安裝,對(duì)于Exynos 7420的解析只能待正式版到來再議了。
當(dāng)然,S6 edge硬件部分的亮點(diǎn)不止于此,用于內(nèi)存部分的LPDDR4 RAM和UFS2.0存儲(chǔ)技術(shù)也成為這一代S系列的亮點(diǎn)。
圖片來自互聯(lián)網(wǎng)
LPDDR 4已經(jīng)確認(rèn)會(huì)在今年成為標(biāo)配,相比之前被廣泛使用的LPDDR 3內(nèi)存,DDR4在帶寬(25.6GB/s)、主頻(1.6GHz)和電壓方面有明顯的優(yōu)勢。更大的帶寬意味著內(nèi)存數(shù)據(jù)交換的速度會(huì)加快,這將幫助S6 edge獲得更快的任務(wù)加載速度。
圖片來自互聯(lián)網(wǎng)
UFS 2.0也是來自三星自家的產(chǎn)品。相比于目前市面上被廣泛使用的eMMC 5.1,UFS 2.0被看作是下一代的存儲(chǔ)產(chǎn)品,其不僅速度更快,而且還支持讀寫數(shù)據(jù)同步進(jìn)行,滿足了移動(dòng)設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)交換的更高要求。從理論數(shù)值來看,UFS2.0的連續(xù)讀取速度是350MB/s,連續(xù)寫入速度達(dá)到150MB/s,即便是現(xiàn)在最頂尖的eMMC 5.1在這兩項(xiàng)上也和UFS 2.0存在不小的差距。
我內(nèi)存測試軟件簡單測試了一下三星S6 edge(UFS 2.0)和HTCOne M8(eMMC 4.5)兩款手機(jī)的內(nèi)存處理速度,從數(shù)據(jù)中可以明顯看到,UFS 2.0在讀寫速度上相比eMMC 4.5有著相當(dāng)明顯的優(yōu)勢,這無疑將對(duì)手機(jī)存儲(chǔ)性能有著質(zhì)的提升。
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